Le MOSFET SiC RIR120CMF016B4N 1200 V convient aux conversions à haut rendement. La structure au carbure de silicium réduit les pertes par conduction et autorise des fréquences élevées.
Se soude en puissance et se raccorde avec grille à faible charge. Semploie en charge EV, onduleurs solaires et alimentations industrielles.
RIR120CMF016B4N : atouts
Commutation rapide
La faible charge de grille améliore le rendement.
Diode intrinsèque rapide
La faible récupération limite les pertes au blocage.
